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時(shí)間:2019-04-25 文章來源:EMSSMI 瀏覽次數(shù):4043
ES7P173x_Datasheet_C 
版本號:V1.2
1. 刪除LVD電壓檢測選擇位3.6V檔位選擇。

ES7P2032_Datasheet_C 
版本號:V1.2
1. 新增TSSOP28封裝信息;
2. 更新T2n PWM脈寬公式。

HW2000B_Datasheet_C 
版本號:V1.3
1. 新增PKG_RSSI寄存器相關(guān)信息;
2. 更改ACK重發(fā)次數(shù)說明。
 
HW2171B_Datasheet_C 
版本號:V1.2
1. 更改ACK重發(fā)次數(shù)說明。
 
HW2181B_Datasheet_C 
版本號:V1.2
1. 更改ACK重發(fā)次數(shù)說明;
2. RF寄存器列表增加0x2B寄存器說明;
3. 改BOR模塊特性表中的最低檔位的電壓范圍上限為2.38V;
4. 更新MCU的IO端口VDD=2.5V條件下的輸出特性曲線;
5. 更新功耗參數(shù)表中,關(guān)于ADC模塊和VREF模塊的功耗參數(shù);
6. 更新CLKFLT旁路控制位的使用說明。
 
HW3181_Datasheet_C 
版本號:V1.2
1. 更新MCU的IO端口VDD=2.5V條件下的輸出特性曲線;
2. 更新功耗參數(shù)表中,關(guān)于ADC模塊和VREF模塊的功耗參數(shù);
3. 修改BOR模塊特性表中的最低檔位的電壓范圍上限為2.38V;
4. 更新CLKFLT旁路控制位的使用說明。
 
AN1035_應(yīng)用筆記_HW2000B_Programming_Guide 
版本號:V1.3
1. 增加ACK重發(fā)次數(shù)配置說明小節(jié);
2. 更新Logo。

變更時(shí)間:2019年4月25日

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